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连续碳化硅纤维测试方法 第9部分:碳含量
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2021-05-21
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【CCS分类】V13航空与航天用非金属材料
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【ICS分类】49.020航空器和航天器综合
连续碳化硅纤维测试方法 第8部分:氧含量
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2021-08-20
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【CCS分类】V13航空与航天用非金属材料
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【ICS分类】49.020航空器和航天器综合
石墨中碳化硅含量的测定方法
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【发布单位或类别】 CN-JC行业标准-建材
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【发布日期】2023-12-20
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【CCS分类】Q51石墨材料
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【ICS分类】73.080非金属矿
碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2014-12-31
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【CCS分类】H26金属无损检验方法
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【ICS分类】77.040.99金属材料的其他试验方法
出口碳化硅分析方法 碳化硅含量的测定
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【发布单位或类别】 CN-SN行业标准-商品检验
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【发布日期】1993-11-05
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【CCS分类】J43磨料与磨具
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【ICS分类】81.080耐火材料
碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2021-12-31
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【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
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【ICS分类】77.040金属材料试验
金刚砂 碳化硅含量的测定 氢氟酸重量法
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【发布单位或类别】 CN-YB行业标准-黑色冶金
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【发布日期】2017-04-12
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【CCS分类】D52冶金辅助原料矿
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【ICS分类】73.080非金属矿
碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
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【发布单位或类别】 CN-YS行业标准-有色金属
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【发布日期】2023-04-21
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【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
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【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析
碳化硅陶瓷制品 工业计算机层析成像(CT)检测
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【发布单位或类别】 CN-JC行业标准-建材
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【发布日期】2022-09-30
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【CCS分类】Q32特种陶瓷
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【ICS分类】81.060.20陶瓷制品
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2023-12-28
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【CCS分类】L90电子技术专用材料
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【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2023-12-28
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【CCS分类】L90电子技术专用材料
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【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2023-12-28
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【CCS分类】L90电子技术专用材料
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【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法
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【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
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【发布日期】2021-11-01
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【CCS分类】H20/29金属理化性能试验方法
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【ICS分类】01.040词汇
碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
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【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
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【发布日期】2023-06-19
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【CCS分类】金属理化性能试验方法
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【ICS分类】半导体材料
碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
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【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
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【发布日期】2019-12-27
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【CCS分类】H20/29工业技术玻璃
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【ICS分类】29.045半导体器分立件综合
半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
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【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
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【发布日期】2019-11-25
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【CCS分类】Q34
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【ICS分类】31.080.01其他半导体分立器件
半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第3部分:用光致发光法检测缺陷的试验方法
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【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
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【发布日期】2020-07-13
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【CCS分类】
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【ICS分类】31.080.99

实验仪器
测试流程

注意事项
1.具体的试验周期以工程师告知的为准。
2.文章中的图片或者标准以及具体的试验方案仅供参考,因为每个样品和项目都有所不同,所以最终以工程师告知的为准。
3.关于(样品量)的需求,最好是先咨询我们的工程师确定,避免不必要的样品损失。
4.加急试验周期一般是五个工作日左右,部分样品有所差异
5.如果对于(碳化硅含量检测机构标准)还有什么疑问,可以咨询我们的工程师为您一一解答。