当前位置：首页 > 检测项目 > 非标实验室 > 检测标准

硅检测标准

原创发布者：北检院发布时间：2024-12-08 点击数：14

复制本文链接

获取试验方案？获取试验报价？获取试验周期？

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。

GB/T 26066-2010

硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2011-01-10
【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 26066-2010

法语CTP 检验检测实验室技术要求验收规范

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2018-12-28
【CCS分类】P33居住与公共建筑工程
【ICS分类】集成电路、微电子学

GB/T 26066-2010

硅基MEMS制造技术微键合区剪切和拉压强度检测方法

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2012-05-11
【CCS分类】L55微电路综合
【ICS分类】31.200半导体材料

GB/T 26066-2010

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2020-06-02
【CCS分类】J04基础标准与通用方法
【ICS分类】半导体材料

GB/T 26066-2010

太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法

【发布单位或类别】 CN-DB65新疆维吾尔自治区地方标准
【发布日期】2013-10-20
【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 26066-2010

重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2009-10-30
【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
【ICS分类】29.045有关土质的其他标准

GB/T 26066-2010

硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2009-10-30
【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
【ICS分类】29.045土壤的化学特性

GB/T 26066-2010

土壤检测第15部分：土壤有效硅的测定

【发布单位或类别】 CN-NY行业标准-农业
【发布日期】2006-07-10
【CCS分类】B11土壤、水土保持
【ICS分类】13.080.99非金属矿

GB/T 26066-2010

土壤检测方法有效态元素的测定第9部分：有效硅含量的测定

【发布单位或类别】 CN-DB65新疆维吾尔自治区地方标准
【发布日期】2024-02-23
【CCS分类】B11土壤、水土保持
【ICS分类】13.080.10金属材料试验

GB/T 26066-2010

电站现场晶体硅太阳能电池组件隐性缺陷检测技术规范

【发布单位或类别】 CN-DB63青海省地方标准
【发布日期】2020-04-08
【CCS分类】F23电站、电力系统运行检修
【ICS分类】73.080食品试验和分析的一般方法

GB/T 26066-2010

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2015-10-09
【CCS分类】J04基础标准与通用方法
【ICS分类】半导体材料

GB/T 26066-2010

硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2023-11-27
【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
【ICS分类】77.040粘合料、密封材料

GB/T 26066-2010

进出口食品中氟硅唑残留量检测方法气相色谱-质谱法

【发布单位或类别】 CN-SN行业标准-商品检验
【发布日期】2008-11-18
【CCS分类】X04基础标准与通用方法
【ICS分类】67.050太阳能工程

GB/T 26066-2010

硅抛光片表面质量目测检验方法

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2009-10-30
【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
【ICS分类】29.045犯罪行为防范

GB/T 26066-2010

硅酮结构密封胶中烷烃增塑剂检测方法

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2015-07-03
【CCS分类】Q24密封材料
【ICS分类】91.100.50其他半导体分立器件

GB/T 26066-2010

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2018-12-28
【CCS分类】P33居住与公共建筑工程
【ICS分类】金属材料的其他试验方法

GB/T 26066-2010

晶体硅光伏组件光热诱导衰减（LETID）试验检测

【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
【发布日期】2023-12-28
【CCS分类】犯罪鉴定技术
【ICS分类】27.160

GB/T 26066-2010

法庭科学　硅藻rbcL基因特异片段检测　毛细管电泳荧光检测法

【发布单位或类别】 CN-GA行业标准-公共安全标准
【发布日期】2021-10-14
【CCS分类】A92电子技术专用材料
【ICS分类】13.310

GB/T 26066-2010

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2023-12-28
【CCS分类】L90金属无损检验方法
【ICS分类】31.080.99

GB/T 26066-2010

碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2014-12-31
【CCS分类】H26
【ICS分类】77.040.99

我们的优势

仪器齐全
北检院实验室百余台大型试验仪器，适用于各种材料的样品，并且还有非标试验的工装定制服务。
技术经验
实验室工程师有着丰富的测试经验，无论是常规样品还是科研样品，都有定制化试验方案。
领域广泛
服务覆盖领域广，主要包括：材料，能源，性能测试，医药领域，生物，动物，植物等科研项目领域。
售后支持
我们提供强大的后期技术支持，如果您对于报告有疑问或者对于试验有疑问，我们可以为您提供完善的解答服务。

实验仪器

实验室仪器

测试流程

硅检测标准流程

注意事项

1.具体的试验周期以工程师告知的为准。

2.文章中的图片或者标准以及具体的试验方案仅供参考，因为每个样品和项目都有所不同，所以最终以工程师告知的为准。

3.关于（样品量）的需求，最好是先咨询我们的工程师确定，避免不必要的样品损失。

4.加急试验周期一般是五个工作日左右，部分样品有所差异

5.如果对于（硅检测标准）还有什么疑问，可以咨询我们的工程师为您一一解答。

上一篇：大米检测标准

下一篇： pcb检测标准

热门关注

硅检测标准

硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

法语CTP 检验检测实验室技术要求验收规范

硅基MEMS制造技术微键合区剪切和拉压强度检测方法

太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法

重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法

硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法

土壤检测第15部分：土壤有效硅的测定

土壤检测方法有效态元素的测定第9部分：有效硅含量的测定

电站现场晶体硅太阳能电池组件隐性缺陷检测技术规范

硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法

进出口食品中氟硅唑残留量检测方法气相色谱-质谱法

硅抛光片表面质量目测检验方法

硅酮结构密封胶中烷烃增塑剂检测方法

晶体硅光伏组件光热诱导衰减（LETID）试验检测

法庭科学　硅藻rbcL基因特异片段检测　毛细管电泳荧光检测法

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法

碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

我们的优势

实验仪器

测试流程

注意事项

快速报价

点击咨询

硅 检测 标准

硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

法语CTP 检验检测实验室技术要求验收规范

硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法

太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法

重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法

硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法

土壤检测 第15部分：土壤有效硅的测定

土壤检测方法 有效态元素的测定 第9部分：有效硅含量的测定

电站现场晶体硅太阳能电池组件隐性缺陷检测技术规范

硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法

进出口食品中氟硅唑残留量检测方法 气相色谱-质谱法

硅抛光片表面质量目测检验方法

硅酮结构密封胶中烷烃增塑剂检测方法

晶体硅光伏组件 光热诱导衰减（LETID）试验 检测

法庭科学 硅藻rbcL基因特异片段检测 毛细管电泳荧光检测法

半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法

碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

我们的优势

实验仪器

测试流程

注意事项

快速报价

点击咨询

硅检测标准

硅基MEMS制造技术微键合区剪切和拉压强度检测方法

土壤检测第15部分：土壤有效硅的测定

土壤检测方法有效态元素的测定第9部分：有效硅含量的测定

硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法

进出口食品中氟硅唑残留量检测方法气相色谱-质谱法

晶体硅光伏组件光热诱导衰减（LETID）试验检测

法庭科学　硅藻rbcL基因特异片段检测　毛细管电泳荧光检测法

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法