GB/T 26066-2010

硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2011-01-10
  • 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

T/ZSA 38-2020

SiC晶片的残余应力检测方法

  • 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
  • 【发布日期】2020-12-17
  • 【CCS分类】H80/84半金属与半导体材料
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

T/IAWBS 008-2019

SiC晶片的残余应力检测方法

  • 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
  • 【发布日期】2019-12-27
  • 【CCS分类】H60/69有色金属及其合金产品
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 31351-2014

碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2014-12-31
  • 【CCS分类】H26金属无损检验方法
  • 【ICS分类】77.040.99金属材料的其他试验方法

GB/T 16595-2019

晶片通用网格规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2019-03-25
  • 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

T/CASAS 013-2021

碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法

  • 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
  • 【发布日期】2021-11-01
  • 【CCS分类】H20/29金属理化性能试验方法
  • 【ICS分类】01.040词汇

GB/T 5238-2019

锗单晶和锗单晶片

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2019-06-04
  • 【CCS分类】H82元素半导体材料
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 16596-2019

确定晶片坐标系规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2019-03-25
  • 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 44631-2024

晶片承载器传输并行接口要求

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2024-09-29
  • 【CCS分类】L97加工专用设备
  • 【ICS分类】31.260光电子学、激光设备

GB/T 26071-2018

太阳能电池用硅单晶片

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2018-09-17
  • 【CCS分类】H82元素半导体材料
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 32988-2016

人造石英光学低通滤波器晶片

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2016-10-13
  • 【CCS分类】L21石英晶体、压电元件
  • 【ICS分类】31.160滤波器

GB/T 30866-2014

碳化硅单晶片直径测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2014-07-24
  • 【CCS分类】H83化合物半导体材料
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 32278-2015

碳化硅单晶片平整度测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2015-12-10
  • 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

YS/T 986-2014

晶片正面系列字母数字标志规范

  • 【发布单位或类别】 CN-YS行业标准-有色金属
  • 【发布日期】2014-10-14
  • 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 13387-2009

硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2009-10-30
  • 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 30867-2014

碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2014-07-24
  • 【CCS分类】H83化合物半导体材料
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 30868-2014

碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2014-07-24
  • 【CCS分类】H83化合物半导体材料
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

SJ 3118-1988

晶片承载器

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1988-04-08
  • 【CCS分类】L34其他电子元器件
  • 【ICS分类】金属材料试验

GB/T 34481-2017

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2017-10-14
  • 【CCS分类】H25金属化学性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

GB/T 24578-2024

半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2024-07-24
  • 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040