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检测cmos坏点的检测标准

原创发布者：北检院发布时间：2025-01-30 点击数：

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MIL DSCC 06239A

微电路数字抗辐射先进的CMOS 16位并行错误检测和校正电路三态输出单片硅（取代DSCC 06239）

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】2007-04-17
【CCS分类】航天用液压元件与附件
【ICS分类】航空航天制造用零部件

GB/T 41033-2021

CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2021-12-31
【CCS分类】V29半导体光敏器件
【ICS分类】49.035集成电路、微电子学

MIL DSCC 06239

微电路数字抗辐射先进的CMOS 16位并行错误检测和校正电路三态输出单片硅（S/S由DSCC 06239A提供）

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】2006-12-21
【CCS分类】
【ICS分类】

GB/T 43063-2023

集成电路 CMOS图像传感器测试方法

【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
【发布日期】2023-09-07
【CCS分类】L54
【ICS分类】31.200

MIL DESC 5962-93141

微电路数字高级CMOS 带奇偶校验发生器/检测器的9位可锁存收发器带非反相三态输出 TTL兼容（由DSCC 5962-93141A提供S/S）

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】1993-04-16
【CCS分类】
【ICS分类】

SJ 20758-1999

半导体集成电路CMOS门阵列器件规范

【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
【发布日期】1999-11-10
【CCS分类】
【ICS分类】

SJ 20750-1999

军用CMOS电路用抗幅射硅单晶片规范

【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
【发布日期】1999-11-10
【CCS分类】
【ICS分类】

QJ 2875-1997

半导体集成电路CMOS数字门阵列详细规范

【发布单位或类别】 CN-QJ行业标准-航天
【发布日期】1997-03-03
【CCS分类】
【ICS分类】

MIL MIL-M-38510/657A Notice 3-Validation 3

微电路数字高速CMOS 缓冲门单片硅

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】2020-09-18
【CCS分类】
【ICS分类】

MIL MIL-M-38510/58D Notice 3-Validation 3

微电路数字 CMOS 开关单片硅正逻辑

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】2019-04-15
【CCS分类】
【ICS分类】

MIL DESC 5962-92026

微电路数字CMOS 定点处理器单片硅

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】1992-10-14
【CCS分类】
【ICS分类】

MIL MIL-M-38510/657A Notice 2-Validation 2

微电路数字高速CMOS 缓冲门单片硅

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】2015-12-03
【CCS分类】
【ICS分类】

MIL DSCC 5962-96665D

用于TTL-TO-CMOS或CMOS-TOCMOS操作、单片硅（取代DSCC 5962-96665C）的抗辐射CMOS六角电压电平移位器数字微电路

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】2005-09-08
【CCS分类】
【ICS分类】

MIL MIL-M-38510/58D Notice 2-Validation

微电路数字 CMOS 开关单片硅正逻辑

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】2014-06-25
【CCS分类】
【ICS分类】

MIL MIL-M-38510/52E Notice 3-Validation 3

微电路数字 CMOS NOR门单片硅正逻辑

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】2019-04-15
【CCS分类】
【ICS分类】

MIL MIL-M-38510/50F Notice 3-Validation 3

微电路数字 CMOS Nand Gates 单片硅正逻辑

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】2019-03-13
【CCS分类】
【ICS分类】

MIL MIL-M-38510/754B Notice 3-Validation 3

微电路数字高级CMOS 锁存器单片硅

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】2019-08-21
【CCS分类】
【ICS分类】

MIL MIL-M-38510/123B Notice 3-Validation 3

微电路线性 Cmos 负逻辑模拟开关单片硅

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】2018-09-19
【CCS分类】
【ICS分类】

MIL MIL-M-38510/171C Notice 3-Validation 3

微电路数字 CMOS 或门单片硅正逻辑

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】2018-06-20
【CCS分类】
【ICS分类】

MIL MIL-M-38510/170C Notice 3-Validation 3

微电路数字 CMOS和门单片硅正逻辑

【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
【发布日期】2018-10-26
【CCS分类】
【ICS分类】

我们的优势

仪器齐全
北检院实验室百余台大型试验仪器，适用于各种材料的样品，并且还有非标试验的工装定制服务。
技术经验
实验室工程师有着丰富的测试经验，无论是常规样品还是科研样品，都有定制化试验方案。
领域广泛
服务覆盖领域广，主要包括：材料，能源，性能测试，医药领域，生物，动物，植物等科研项目领域。
售后支持
我们提供强大的后期技术支持，如果您对于报告有疑问或者对于试验有疑问，我们可以为您提供完善的解答服务。

实验仪器

实验室仪器

测试流程

检测cmos坏点的检测标准流程

注意事项

1.具体的试验周期以工程师告知的为准。

2.文章中的图片或者标准以及具体的试验方案仅供参考，因为每个样品和项目都有所不同，所以最终以工程师告知的为准。

3.关于（样品量）的需求，最好是先咨询我们的工程师确定，避免不必要的样品损失。

4.加急试验周期一般是五个工作日左右，部分样品有所差异

5.如果对于（检测cmos坏点的检测标准）还有什么疑问，可以咨询我们的工程师为您一一解答。

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我们的优势

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