注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。
正胶显影液测试技术分析
一、检测样品 本次测试的样品为光刻工艺中常用的正性光刻胶显影液,包括两种不同品牌(A品牌与B品牌)的显影液,取样方式为随机抽取同一生产批次的原装密封样品。
二、检测项目 针对正胶显影液的性能与安全性,本次测试涵盖以下关键指标:
三、检测方法
显影时间测试 采用浸渍法,将涂覆正性光刻胶的硅片浸入显影液中,记录光刻胶完全溶解所需时间,重复3次取平均值。
显影残留量测试 使用重量分析法,显影后对硅片进行干燥处理,通过高精度分析天平测量显影前后基板的重量差,计算残留物质量。
pH值测试 采用电极法,使用经校准的pH计直接测量显影液的酸碱度,测试环境温度为25℃±1℃。
金属离子含量测试 通过电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)进行定量分析,样品经稀释过滤后上机检测。
颗粒物浓度测试 利用激光颗粒计数器对显影液进行扫描,统计粒径大于0.5μm的颗粒数量。
四、检测仪器 本次测试使用的仪器包括:
五、总结 通过对正胶显影液的多维度测试,可全面评估其性能参数与质量稳定性,为光刻工艺的良率控制提供数据支持。检测结果将帮助企业优化显影液配方,提升半导体或显示面板制造中的工艺可靠性。
1.具体的试验周期以工程师告知的为准。
2.文章中的图片或者标准以及具体的试验方案仅供参考,因为每个样品和项目都有所不同,所以最终以工程师告知的为准。
3.关于(样品量)的需求,最好是先咨询我们的工程师确定,避免不必要的样品损失。
4.加急试验周期一般是五个工作日左右,部分样品有所差异
5.如果对于(正胶显影液测试)还有什么疑问,可以咨询我们的工程师为您一一解答。