半导体材料检测

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注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。

检测样品：半导体材料

检测项目

杂质检测，品质因子检测，性能检测，灵敏度检测，外观检测，纯度检测，光学检测等

检测周期：7-15个工作日，试验可加急

检测标准

CECC 50 002- 101 ISSUE 3-1985半导体材料 硅制 2N2221型;极性:负极-正极-负极2N2221A型,封装材料:2N2222金属型,接头包装:2N2222A集流器

CECC 50 002- 103 ISSUE 3-1985半导体材料 硅制 2N2906型;极性:负极-正极-负极2N2906A型,封装材料:2N2907金属型,接头包装:2N2907A集流器

DIN 50431-1988无机半导体材料的检验; 用直线配置的四探针直流法测定硅和锗单晶体的比电阻

DIN 50433-1-1976无机半导体材料的检验; 用X 射线测向仪测定单晶体取向

DIN 50433-2-1976无机半导体材料的检验; 用反射光影法测定单晶体取向

DIN 50433-3-1982半导体材料的检验; 用劳埃反射法测定单晶体取向

DIN 50434-1986半导体材料的检验; 单晶硅试样的(111) 和(100) 蚀面上晶体结构缺陷的测定

DIN 50435-1988无机半导体材料的检验; 四探针直流法测定硅或锗片的比电阻径向变化

DIN 50437-1979无机半导体材料的检验; 用红外线干涉法测量硅外延生长层的的厚度

DIN 50438-1-1995无机半导体材料的检验;用红外吸收法测定硅中杂质含量:第1部分:氧

DIN 50439-1982半导体工艺材料的检验; 用电容--电压法和水银接点确定晶朊半导体材料中掺杂物的断面

DIN 50440-1998半导体材料检验.用光导衰减法测定硅单晶复合载流子寿命;在杆上试件上测量

DIN 50441-1-1996无机半导体材料的检验;半导体片几何尺寸的测量;第1部分:厚度和厚度变化

DIN 50441-2-1998半导体材料的检验;半导体片几何尺寸的测量.第2部分:倒棱的检验

DIN 50445-1992半导体材料检验.电阻测量

DIN 50446-1995半导体材料的检验.硅外延层的缺陷类型和缺陷密度的测定

DIN 50452-1-1995半导体材料的检验.液体中粒子的分析方法.第1部分:显微镜测定粒子

GB/T 1550-2018非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T 6663.1-2007直热式负温度系数热敏电阻器 第1部分:总规范

GB/T 7153-2002直热式阶跃型正温度系数热敏电阻器 第1部分：总规范

实验仪器

测试流程

注意事项

1.具体的试验周期以工程师告知的为准。

2.文章中的图片或者标准以及具体的试验方案仅供参考，因为每个样品和项目都有所不同，所以最终以工程师告知的为准。

3.关于（样品量）的需求，最好是先咨询我们的工程师确定，避免不必要的样品损失。

4.加急试验周期一般是五个工作日左右，部分样品有所差异

5.如果对于（半导体材料检测）还有什么疑问，可以咨询我们的工程师为您一一解答。