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透射电镜(TEM)微泄漏检测是一种高精度的微观泄漏分析技术,主要用于检测材料或器件中的微小泄漏缺陷。该技术通过透射电子显微镜的高分辨率成像能力,能够观察到纳米级别的泄漏路径或孔隙结构,广泛应用于半导体、电子元件、医疗器械、航空航天等领域。检测的重要性在于确保产品的密封性和可靠性,避免因微泄漏导致的性能下降或安全隐患,同时为产品质量控制和工艺改进提供科学依据。
泄漏孔径分布,泄漏路径形貌,孔隙率,泄漏速率,材料厚度均匀性,界面结合状态,缺陷密度,晶体结构完整性,元素分布,表面粗糙度,化学组成分析,应力分布,热稳定性,腐蚀程度,污染物含量,微观裂纹,层间结合强度,纳米颗粒分布,电子衍射分析,能谱分析
半导体封装器件,微电子机械系统(MEMS),锂电池隔膜,燃料电池组件,光学涂层,医用植入材料,真空密封件,航空航天复合材料,纳米薄膜,太阳能电池板,集成电路,传感器元件,柔性电子器件,金属焊接接头,陶瓷封装,聚合物薄膜,生物医学材料,超导材料,微流体器件,防腐蚀涂层
高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)成像:通过高倍率观察样品的微观结构。
选区电子衍射(SAED):分析材料的晶体结构和取向。
能量色散X射线光谱(EDS):测定样品的元素组成。
电子能量损失谱(EELS):研究材料的电子结构和化学成分。
暗场成像技术:突出显示特定晶体结构的缺陷。
明场成像技术:观察样品的整体形貌和结构。
断层扫描(Tomography):三维重建样品的微观结构。
原位加热实验:研究材料在高温下的泄漏行为。
原位拉伸实验:观察材料在应力作用下的泄漏变化。
环境透射电镜(ETEM):在气体环境中研究材料的泄漏特性。
电子全息术:测量样品的电场和磁场分布。
会聚束电子衍射(CBED):精确分析晶格参数和应变。
低剂量电子成像:减少电子束对敏感样品的损伤。
快速傅里叶变换(FFT)分析:处理高分辨率图像数据。
图像处理软件分析:定量测量泄漏孔径和分布。
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1.具体的试验周期以工程师告知的为准。
2.文章中的图片或者标准以及具体的试验方案仅供参考,因为每个样品和项目都有所不同,所以最终以工程师告知的为准。
3.关于(样品量)的需求,最好是先咨询我们的工程师确定,避免不必要的样品损失。
4.加急试验周期一般是五个工作日左右,部分样品有所差异
5.如果对于(透射电镜(TEM)微泄漏检测)还有什么疑问,可以咨询我们的工程师为您一一解答。
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