深紫外LED外延片晶体质量测试

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注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。

信息概要

深紫外LED外延片晶体质量测试是评估外延片材料性能的关键环节，涉及晶体结构、缺陷密度、光学特性等多方面指标。该检测对确保深紫外LED的性能、可靠性和寿命至关重要，尤其在医疗杀菌、水处理、高精度光刻等领域，高质量的晶体材料是器件高效稳定工作的基础。第三方检测机构通过专业设备和方法，为客户提供准确、客观的检测数据，助力产品研发和质量控制。

检测项目

晶体缺陷密度，位错密度，表面粗糙度，厚度均匀性，掺杂浓度，载流子浓度，迁移率，电阻率，发光波长，发光强度，半峰宽，内量子效率，外量子效率，击穿电压，漏电流，热阻，应力分布，晶体取向，界面态密度，杂质含量

检测范围

AlGaN基深紫外LED外延片，InAlGaN基深紫外LED外延片，蓝宝石衬底深紫外外延片，SiC衬底深紫外外延片，Si衬底深紫外外延片，单量子阱深紫外外延片，多量子阱深紫外外延片，高Al组分深紫外外延片，低Al组分深紫外外延片，非极性深紫外外延片，半极性深紫外外延片，p型掺杂深紫外外延片，n型掺杂深紫外外延片，非故意掺杂深紫外外延片，超晶格结构深紫外外延片，缓冲层深紫外外延片，应变弛豫深紫外外延片，图形化衬底深紫外外延片，纳米柱结构深紫外外延片，异质结深紫外外延片

检测方法

X射线衍射（XRD）：分析晶体结构和取向。

原子力显微镜（AFM）：测量表面形貌和粗糙度。

光致发光光谱（PL）：评估发光特性及缺陷。

电致发光光谱（EL）：测试器件发光性能。

霍尔效应测试：测定载流子浓度和迁移率。

二次离子质谱（SIMS）：分析掺杂和杂质分布。

透射电子显微镜（TEM）：观察微观结构和缺陷。

扫描电子显微镜（SEM）：检查表面和截面形貌。

拉曼光谱：研究应力分布和晶体质量。

阴极荧光光谱（CL）：表征局部发光特性。

电流-电压特性测试（I-V）：评估电学性能。

电容-电压特性测试（C-V）：分析界面态和掺杂。

热反射法：测量外延片热阻。

椭偏仪：测定薄膜厚度和光学常数。

深能级瞬态谱（DLTS）：检测深能级缺陷。

检测仪器

X射线衍射仪，原子力显微镜，光致发光光谱仪，电致发光光谱仪，霍尔效应测试系统，二次离子质谱仪，透射电子显微镜，扫描电子显微镜，拉曼光谱仪，阴极荧光光谱仪，半导体参数分析仪，电容-电压测试仪，热反射测量系统，椭偏仪，深能级瞬态谱仪

实验仪器

测试流程

注意事项

1.具体的试验周期以工程师告知的为准。

2.文章中的图片或者标准以及具体的试验方案仅供参考，因为每个样品和项目都有所不同，所以最终以工程师告知的为准。

3.关于（样品量）的需求，最好是先咨询我们的工程师确定，避免不必要的样品损失。

4.加急试验周期一般是五个工作日左右，部分样品有所差异

5.如果对于（深紫外LED外延片晶体质量测试）还有什么疑问，可以咨询我们的工程师为您一一解答。