芯片表面 纳米级污染元素（TOF-SIMS）

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注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。

信息概要

芯片表面纳米级污染元素（TOF-SIMS）检测是一项针对半导体、微电子及其他高精度器件表面污染的精密分析服务。通过飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）技术，能够检测出芯片表面纳米级别的污染物元素，包括金属、有机物和无机物等。此类检测对于确保芯片性能、可靠性和良率至关重要，尤其在高端制造领域，微小的污染可能导致器件失效或性能下降。第三方检测机构提供专业的TOF-SIMS检测服务，帮助客户识别污染源并优化生产工艺。

检测项目

金属污染物（如钠、钾、铁、铜、铝、镍、铬、锌、钛、钨），有机污染物（如硅油、光刻胶残留、碳氢化合物、氟化物、硫化物），无机污染物（如氯化物、氧化物、氮化物、磷化物、硼化物），表面元素分布，污染物深度分布，污染物浓度，表面化学状态，污染物来源分析，颗粒物检测，表面形貌分析，污染物化学键合状态，污染物迁移分析，污染物吸附能力，污染物挥发性，污染物热稳定性，污染物电化学特性，污染物光学特性，污染物生物相容性，污染物环境稳定性

检测范围

半导体芯片，集成电路，微机电系统（MEMS），光电子器件，传感器，太阳能电池，显示面板，封装材料，晶圆，薄膜材料，纳米材料，电子封装，印刷电路板，光学涂层，磁性材料，生物芯片，柔性电子，功率器件，射频器件，量子点材料

检测方法

飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）：通过高能离子束轰击样品表面，检测溅射出的二次离子，实现元素和分子级别的表面分析。

X射线光电子能谱（XPS）：通过测量光电子的动能，分析表面元素的化学状态和组成。

俄歇电子能谱（AES）：利用俄歇电子信号分析表面元素分布和化学状态。

扫描电子显微镜（SEM）：通过电子束扫描样品表面，获取高分辨率形貌信息。

透射电子显微镜（TEM）：通过电子束穿透样品，分析纳米级结构和成分。

原子力显微镜（AFM）：通过探针扫描表面，获取纳米级形貌和力学性能。

傅里叶变换红外光谱（FTIR）：通过红外吸收光谱分析表面有机污染物。

拉曼光谱（Raman）：通过拉曼散射信号分析表面分子结构和化学键。

辉光放电质谱（GDMS）：通过辉光放电离子化技术，分析体材料和表面污染物。

电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）：通过高温等离子体离子化，检测痕量金属污染物。

二次离子质谱（SIMS）：通过离子束溅射表面，分析元素和分子组成。

能量色散X射线光谱（EDS）：结合SEM或TEM，分析表面元素组成。

热脱附质谱（TDS）：通过加热样品，分析释放出的气体污染物。

气相色谱-质谱联用（GC-MS）：通过气相色谱分离和质谱检测，分析挥发性有机污染物。

液相色谱-质谱联用（LC-MS）：通过液相色谱分离和质谱检测，分析非挥发性有机污染物。

检测仪器

飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS），X射线光电子能谱仪（XPS），俄歇电子能谱仪（AES），扫描电子显微镜（SEM），透射电子显微镜（TEM），原子力显微镜（AFM），傅里叶变换红外光谱仪（FTIR），拉曼光谱仪（Raman），辉光放电质谱仪（GDMS），电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS），二次离子质谱仪（SIMS），能量色散X射线光谱仪（EDS），热脱附质谱仪（TDS），气相色谱-质谱联用仪（GC-MS），液相色谱-质谱联用仪（LC-MS）

实验仪器

测试流程

注意事项

1.具体的试验周期以工程师告知的为准。

2.文章中的图片或者标准以及具体的试验方案仅供参考，因为每个样品和项目都有所不同，所以最终以工程师告知的为准。

3.关于（样品量）的需求，最好是先咨询我们的工程师确定，避免不必要的样品损失。

4.加急试验周期一般是五个工作日左右，部分样品有所差异

5.如果对于（芯片表面 纳米级污染元素（TOF-SIMS））还有什么疑问，可以咨询我们的工程师为您一一解答。