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芯片铝铜互连

原创发布者:北检院    发布时间:2025-06-19     点击数:

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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

信息概要

芯片铝铜互连是半导体制造中的关键工艺,用于实现集成电路中不同层之间的电气连接。铝和铜因其优异的导电性和可加工性被广泛用作互连材料。第三方检测机构提供的检测服务能够确保铝铜互连的可靠性、性能和寿命,避免因材料缺陷或工艺问题导致的电路失效。检测内容包括材料成分、结构完整性、电学性能等,对于提高芯片良率和可靠性至关重要。

检测项目

厚度测量,表面粗糙度,粘附强度,电阻率,电迁移率,晶粒尺寸,界面扩散,应力测试,硬度测试,腐蚀速率,热膨胀系数,接触电阻,介电常数,缺陷密度,杂质含量,表面氧化层厚度,键合强度,微观结构分析,疲劳寿命,热稳定性

检测范围

铝互连线,铜互连线,铝铜复合互连,硅基铝互连,硅基铜互连,多层铝互连,多层铜互连,铝铜合金互连,铜填充通孔,铝填充通孔,铜柱互连,铝柱互连,铜焊盘,铝焊盘,铜键合线,铝键合线,铜镀层,铝镀层,铜薄膜,铝薄膜

检测方法

扫描电子显微镜(SEM):用于观察表面形貌和微观结构。

透射电子显微镜(TEM):分析材料的晶体结构和缺陷。

X射线衍射(XRD):测定材料的晶体结构和相组成。

原子力显微镜(AFM):测量表面粗糙度和形貌。

四探针电阻测试:测量材料的电阻率。

划痕测试:评估薄膜的粘附强度。

纳米压痕测试:测量材料的硬度和弹性模量。

热重分析(TGA):评估材料的热稳定性。

差示扫描量热法(DSC):测定材料的热性能。

电化学腐蚀测试:评估材料的耐腐蚀性能。

聚焦离子束(FIB):用于样品制备和微观结构分析。

能谱分析(EDS):测定材料的元素组成。

二次离子质谱(SIMS):分析材料的杂质分布。

X射线光电子能谱(XPS):测定表面化学状态。

超声波检测:评估材料的内部缺陷。

检测仪器

扫描电子显微镜,透射电子显微镜,X射线衍射仪,原子力显微镜,四探针测试仪,划痕测试仪,纳米压痕仪,热重分析仪,差示扫描量热仪,电化学工作站,聚焦离子束系统,能谱仪,二次离子质谱仪,X射线光电子能谱仪,超声波检测仪

实验仪器

实验室仪器 实验室仪器 实验室仪器 实验室仪器

测试流程

芯片铝铜互连流程

注意事项

1.具体的试验周期以工程师告知的为准。

2.文章中的图片或者标准以及具体的试验方案仅供参考,因为每个样品和项目都有所不同,所以最终以工程师告知的为准。

3.关于(样品量)的需求,最好是先咨询我们的工程师确定,避免不必要的样品损失。

4.加急试验周期一般是五个工作日左右,部分样品有所差异

5.如果对于(芯片铝铜互连)还有什么疑问,可以咨询我们的工程师为您一一解答。

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