3D NAND深孔刻蚀液 聚合物残留物FTIR原位分析

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注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。

信息概要

3D NAND深孔刻蚀液聚合物残留物FTIR原位分析是一种针对半导体制造过程中深孔刻蚀工艺残留物的检测服务。该检测通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）技术，对刻蚀液中的聚合物残留物进行原位分析，确保刻蚀工艺的清洁度和效率。检测的重要性在于，聚合物残留物可能导致器件性能下降或失效，因此精准分析残留物成分对提升3D NAND存储器的良率和可靠性至关重要。本服务可帮助客户优化刻蚀工艺参数，减少缺陷，提高生产效率。

检测项目

聚合物残留物成分定性分析，聚合物残留物含量定量分析，官能团特征峰识别，有机污染物检测，无机污染物检测，残留物厚度测量，残留物分布均匀性评估，刻蚀液成分稳定性测试，刻蚀液老化程度分析，刻蚀液挥发性检测，刻蚀液腐蚀性评估，残留物热稳定性测试，残留物化学稳定性测试，残留物溶解性测试，残留物形貌观察，残留物元素分析，残留物分子量分布，残留物结晶度分析，残留物交联度评估，残留物表面能测试

检测范围

深硅刻蚀液，氧化物刻蚀液，氮化物刻蚀液，金属刻蚀液，光刻胶残留物，碳基聚合物残留物，氟基聚合物残留物，硅基聚合物残留物，氧基聚合物残留物，氮基聚合物残留物，硫基聚合物残留物，磷基聚合物残留物，硼基聚合物残留物，铝基聚合物残留物，钛基聚合物残留物，钨基聚合物残留物，铜基聚合物残留物，钴基聚合物残留物，镍基聚合物残留物，钌基聚合物残留物

检测方法

傅里叶变换红外光谱（FTIR）分析法：通过红外光谱特征峰识别聚合物残留物的官能团和化学结构。

原位FTIR检测法：直接在刻蚀工艺过程中实时监测聚合物残留物的形成和变化。

衰减全反射（ATR）FTIR法：适用于表面残留物的快速无损检测。

显微FTIR光谱法：结合显微镜技术，对微小区域的残留物进行高分辨率分析。

热重-红外联用（TGA-FTIR）法：通过热重分析结合FTIR，研究残留物的热稳定性和分解产物。

气相色谱-红外联用（GC-FTIR）法：分离并鉴定刻蚀液中的挥发性有机物成分。

X射线光电子能谱（XPS）法：对残留物表面元素组成和化学状态进行定量分析。

扫描电子显微镜（SEM）法：观察残留物的形貌和分布情况。

能量色散X射线光谱（EDS）法：结合SEM，对残留物进行元素成分分析。

原子力显微镜（AFM）法：测量残留物的表面形貌和厚度。

拉曼光谱法：补充FTIR分析，提供残留物的分子振动信息。

质谱分析法：鉴定残留物的分子量和结构信息。

紫外-可见光谱法：检测残留物中的发色团和共轭结构。

核磁共振（NMR）法：对残留物进行分子结构解析。

离子色谱法：检测残留物中的无机离子污染物。

检测仪器

傅里叶变换红外光谱仪，原位FTIR检测系统，显微FTIR光谱仪，热重分析仪，气相色谱仪，X射线光电子能谱仪，扫描电子显微镜，能量色散X射线光谱仪，原子力显微镜，拉曼光谱仪，质谱仪，紫外-可见分光光度计，核磁共振仪，离子色谱仪，高效液相色谱仪

实验仪器

测试流程

注意事项

1.具体的试验周期以工程师告知的为准。

2.文章中的图片或者标准以及具体的试验方案仅供参考，因为每个样品和项目都有所不同，所以最终以工程师告知的为准。

3.关于（样品量）的需求，最好是先咨询我们的工程师确定，避免不必要的样品损失。

4.加急试验周期一般是五个工作日左右，部分样品有所差异

5.如果对于（3D NAND深孔刻蚀液 聚合物残留物FTIR原位分析）还有什么疑问，可以咨询我们的工程师为您一一解答。