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半导体芯片散热基板热震测试

原创发布者:北检院    发布时间:2025-07-16     点击数:

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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

信息概要

半导体芯片散热基板热震测试是针对散热基板在快速温度变化环境下的性能评估项目,主要用于验证其在极端温度条件下的可靠性和耐久性。该测试通过模拟实际使用中的热循环条件,检测散热基板的材料稳定性、热导率变化以及结构完整性。检测的重要性在于确保散热基板在高温差环境下不会出现开裂、变形或热阻升高等问题,从而保障半导体芯片的长期稳定运行。此类检测广泛应用于电子、通信、汽车电子等领域,是产品质量控制的关键环节。

检测项目

热震循环次数:记录散热基板在测试中能够承受的热震循环次数。

热导率变化率:测试热震前后热导率的变化比例。

表面粗糙度:检测热震后散热基板表面的粗糙度变化。

抗拉强度:评估热震后材料的抗拉性能。

热膨胀系数:测量材料在温度变化下的膨胀或收缩率。

硬度变化:测试热震前后材料的硬度变化。

微观结构分析:观察热震后材料的微观结构变化。

粘接强度:评估散热基板与芯片的粘接强度是否达标。

气密性测试:检测热震后散热基板的气密性是否完好。

耐腐蚀性:评估材料在热震后的耐腐蚀性能。

电气绝缘性能:测试散热基板的绝缘性能是否受影响。

翘曲度:测量热震后散热基板的翘曲程度。

疲劳寿命:评估散热基板在热震条件下的疲劳寿命。

热阻测试:测量热震后散热基板的热阻值。

断裂韧性:测试材料在热震后的断裂韧性。

尺寸稳定性:评估热震后散热基板的尺寸变化。

残余应力:测量热震后材料内部的残余应力。

导热均匀性:测试散热基板在热震后的导热均匀性。

氧化层厚度:检测热震后氧化层的厚度变化。

界面结合强度:评估散热基板与芯片界面的结合强度。

热循环稳定性:测试散热基板在多次热循环后的性能稳定性。

振动耐受性:评估热震后散热基板的振动耐受能力。

湿度敏感性:测试材料在热震后的湿度敏感性能。

化学兼容性:评估散热基板与接触材料的化学兼容性。

热老化性能:测试热震后材料的热老化性能。

声发射检测:通过声发射技术检测热震过程中的材料损伤。

红外热成像:利用红外热成像技术分析散热基板的热分布。

X射线衍射:通过X射线衍射分析材料晶体结构变化。

超声波检测:利用超声波检测散热基板内部缺陷。

金相分析:通过金相显微镜观察材料的金相组织变化。

检测范围

金属基散热基板,陶瓷基散热基板,复合基散热基板,石墨基散热基板,铝基散热基板,铜基散热基板,氮化铝散热基板,氧化铝散热基板,碳化硅散热基板,氮化硅散热基板,金刚石散热基板,聚合物基散热基板,多层散热基板,单层散热基板,柔性散热基板,刚性散热基板,高导热散热基板,低导热散热基板,超薄散热基板,厚膜散热基板,薄膜散热基板,纳米材料散热基板,微通道散热基板,相变材料散热基板,液冷散热基板,风冷散热基板,热管散热基板,均温板散热基板,微电子散热基板,功率器件散热基板

检测方法

热震试验法:通过快速温度变化模拟热震环境。

热导率测试法:利用热导率仪测量材料的导热性能。

拉伸试验法:通过拉伸试验机测试材料的抗拉强度。

显微硬度测试法:使用显微硬度计测量材料的硬度。

扫描电子显微镜法:通过SEM观察材料的微观结构。

X射线光电子能谱法:分析材料表面的化学成分。

红外热像法:利用红外热像仪检测散热基板的热分布。

超声波检测法:通过超声波探测材料内部缺陷。

金相分析法:使用金相显微镜观察材料的金相组织。

热重分析法:测量材料在高温下的质量变化。

差示扫描量热法:分析材料的热性能变化。

气密性检测法:通过气密性测试仪检测散热基板的密封性。

疲劳试验法:模拟热震条件下的疲劳寿命测试。

残余应力测试法:利用X射线衍射仪测量残余应力。

表面粗糙度测试法:通过表面粗糙度仪测量表面形貌。

电化学测试法:评估材料的耐腐蚀性能。

热膨胀测试法:测量材料在温度变化下的膨胀系数。

声发射检测法:通过声发射传感器监测材料损伤。

振动测试法:模拟振动环境测试散热基板的耐受性。

湿热老化测试法:评估材料在湿热环境下的性能变化。

检测仪器

热震试验箱,热导率测试仪,拉伸试验机,显微硬度计,扫描电子显微镜,X射线光电子能谱仪,红外热像仪,超声波探伤仪,金相显微镜,热重分析仪,差示扫描量热仪,气密性测试仪,疲劳试验机,X射线衍射仪,表面粗糙度仪

实验仪器

实验室仪器 实验室仪器 实验室仪器 实验室仪器

测试流程

半导体芯片散热基板热震测试流程

注意事项

1.具体的试验周期以工程师告知的为准。

2.文章中的图片或者标准以及具体的试验方案仅供参考,因为每个样品和项目都有所不同,所以最终以工程师告知的为准。

3.关于(样品量)的需求,最好是先咨询我们的工程师确定,避免不必要的样品损失。

4.加急试验周期一般是五个工作日左右,部分样品有所差异

5.如果对于(半导体芯片散热基板热震测试)还有什么疑问,可以咨询我们的工程师为您一一解答。

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