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通用电子元器件(破坏性物理分析)检测

原创发布者:北检院    发布时间:2023-04-19     点击数:

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检测样品

通用电子元器件(破坏性物理分析)电子元器件电子元器件及设备(物理性能)电气、电子产品、电子元器件电子元器件及设备(机械性能)电子元器件环境与可靠性试验电子元器件及电气元件电子元器件及设备(霉菌)

实验周期

7-15个工作日,加急实验一般5个工作日

检测项目

玻璃钝化层的完整性检查键合强度内部水汽含量X射线照相检验有机锡化合物引出端强度密封性检查声学扫描显微镜检查半导体集成电路老炼试验随机振动物理检查扫频振动(电子元器件)恒定加速度可焊性外部目检制样镜检球栅阵列(BGA)试验方法设备及大组件恒定加速度机械冲击粒子碰撞噪声检测芯片粘接的超声检测内部目检扫描电子显微镜检查温度循环X射线检查金相晶粒度分析芯片剪切强度开帽内部设计目检扫描电子显微镜检查(金属化扫描电子显微镜检查)内部目检及形貌分析冲击试验耐溶剂性试验稳定性烘焙(高温寿命(非工作))粒子碰撞噪声测试(PIND)电阻器老炼试验恒定加速度重量耐湿六溴环十二烷细检漏易燃性霉菌试验扫描电子显微镜(SEM)检查键合强度(破坏性键合拉力)耐湿(交变)外部目检

检测标准

微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996 方法2021

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2011.1

微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996 方法1018

微电路试验标准方法 MIL-STD-883K:2016 2012.9

气相色谱质谱法测定半挥发性有机化合物 EPA8270D:2014

半导体器件机械和气候试验方法 第14部分:引出端强度 GB/T4937.14-2018 第14部分

《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997 方法1071

PEM-INST-001:塑封微电路(PEM)选择、筛选和鉴定说明 NASA/TP-2003-212244 5.3.3

《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005 方法1015

环境试验 第2部分:试验方法 试验Fh:宽带随机振动和导则 GB/T 2423.56-2018

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006

电子及电气元件试验方法 GJB 360A-1996 方法204

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法212

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 2003.1

各种质量等级军用半导体器件破坏性物理分析方法 GJB 5914-2006 4.3.2

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法211

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作项目0103-2.3、0202-2.5、0207-2.6、0208-2.3、0101-2.5、0102-2.5、0104-2.3、0201-2.5、0203-2.5、0301-2.4、0302-2.3、0401-2.5、0601-2.6、0603-2.4、0801-2.5、0802-2.5、0803-2.3、1401-1.4、1402-1.3、1501-2.5、1502-2.4、1601-2.4

微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996 方法2011A或2023A

球栅阵列(BGA)试验方法 GJB 7677-2012 5 焊球剪切

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0902 晶体振荡器

电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Ga和导则:稳态加速度 GB/T 2423.15-2008

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作项目0101~1301中2.2条 1401-1.2、1402-1.2、1403-1.2、1501-2.2、1502-2.2、1601-2.2

电子及电气元件试验方法 GJB 360A-1996 方法213

微电子试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2020.1

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2007

微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996 方法2030

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2004.21

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2010.1、2013、2014或2017.1

微波组件通用规范 GJB 8481-2015 4.11.3

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法2077

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法107

电子及电气元件试验方法 GJB 360A-1996 方法209

电子、电磁和机电元器件破坏性物理分析 MIL-STD-1580B:2003 12.1.1.3 16.1.1.3 16.5.1.2u003cbru003e21.1.1.3

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 1103.2.4

球栅阵列(BGA)试验方法 GJB 7677-2012 3 焊球共面性

铍青铜的金相试验方法 HB 7694-2001

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作项目0902-2.9、1002-2.9、1003-2.11、1101-2.10、1102-2.10、1201-2.10、1202-2.10、1301-2.10、1403-1.7、

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法2071

球栅阵列(BGA)试验方法 GJB 7677-2012 6 可焊性

半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 2075

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 2018.1

军用设备环境试验方法 振动试验 GJB150.16-1986

微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996 方法2004A或2028

《半导体集成电路失效分析程序和方法》 GJB 3233-1998 第5.2.10条

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法2052

微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996 方法2009A

环境试验 第2部分:试验方法 试验Ea和导则:冲击 GB/T 2423.5-2019

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法213

电工产品环境应力筛选方法 GJB 1032-1990 5.2

半导体器件机械和气候试验方法 第3部分:外部目检 GB/T4937.3-2012 第3部分

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法215

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法217

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 1008.1

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 0901.2.4u003cbru003e1101.2.4 1102.2.4 u003cbru003e1003.2.5

《电子及电气元器件试验方法》 GJB 360B-2009 方法108

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2018.1

《电子及电气元件试验方法 》 GJB 360B-2009 方法212

微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996 方法2026

微波组件通用规范 GJB 8481-2015 4.11.5

微波组件总规范 SJ 20527-1995 4.8.1

半导体器件机械和气候试验方法 第19部分:芯片剪切强度 GB/T4937.19-2018 第19部分

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2009.1

微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996 方法2018A

微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996 方法2001A

金属平均晶粒度测定方法 GB/T 6394-2017

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2001.1

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2010.1

电子及电气元件试验方法 MIL-STD-202G-2002 方法106G

电子电气产品中六溴环十二烷的测定 气相色谱-质谱联用法 GB/T 29785-2013

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2069

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法112

电工电子产品着火危险试验 GB/T5169.5-2020

军用设备环境试验方法 霉菌试验 GJB 150.10-86

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作项目0106-2.3、0701-2.3、0702-2.4、0901-2.4、1003-2.5、1101-2.4、1102-2.4、1201-2.4、1202-2.4、1301-2.4、

半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 2037

半导体器件机械和气候试验方法 第21部分:可焊性 GB/T4937.21-2018 第21部分

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2002.1

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0207 固体电解质钽电容器

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法2069、2070、2072、2073、2074或2075

微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996 方法2015A

微电子器件环境试验方法 第1部分:试验方法1000-1999 MIL-STD-883-1-2019 方法1004.7

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2011.1或2023.2

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1202 半导体光电模块

半导体光电模块总规范 SJ 20642-1997 4.10.11

电子电气产品中有机锡化合物的测定 第5部分:气相色谱-质谱法 SN/T 2592.5-2011

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 0103.2.2 0202.2.2 0208.2.2 0803.2.2u003cbru003e0901.2.2u003cbru003e0902.2.2 u003cbru003e1101.2.2 1102.2.2 1103.2.2 u003cbru003e1003.2.2u003cbru003e1501.2.2

以上标准仅供参考,如有其他标准需求或者实验方案需求可以咨询工程师

实验仪器

实验室仪器 实验室仪器 实验室仪器 实验室仪器

测试流程

通用电子元器件(破坏性物理分析)流程

注意事项

1.具体的试验周期以工程师告知的为准。

2.文章中的图片或者标准以及具体的试验方案仅供参考,因为每个样品和项目都有所不同,所以最终以工程师告知的为准。

3.关于(样品量)的需求,最好是先咨询我们的工程师确定,避免不必要的样品损失。

4.加急试验周期一般是五个工作日左右,部分样品有所差异

5.如果对于(通用电子元器件(破坏性物理分析)检测)还有什么疑问,可以咨询我们的工程师为您一一解答。

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