半导体功率器件试验

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注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。

检测周期：7-15个工作日出具检测报告

试验范围

1.功率二极管：如肖特基二极管、普通二极管、快恢复二极管等。

2.功率MOSFET：如增强型MOSFET、耗尽型MOSFET等。

3.功率IGBT：如PT-IGBT、NPT-IGBT、Trench-IGBT等。

4.功率集成电路：如功率放大器、功率开关等。

试验项目

1. 静态电参数测试：包括正向导通电压、反向击穿电压、电流电压特性、反向漏电流等参数的测试，用于评估器件的基本电性能。

2. 动态电参数测试：包括开关时间、开关电压、开关电流、开关损耗、反向恢复时间等参数的测试，用于评估器件的开关特性和能耗性能。

3. 热稳定性测试：包括器件的热稳定性、热损耗、温度分布等参数的测试，用于评估器件的热特性和可靠性。

4. 疲劳寿命测试：包括器件的疲劳寿命、疲劳强度、疲劳断裂模式等参数的测试，用于评估器件的疲劳性能和可靠性。

5. EMC测试：包括器件的电磁兼容性、抗干扰性等参数的测试，用于评估器件的电磁性能和应用环境下的可靠性。

检测标准

T/CASAS 011.1-2021车规级半导体功率器件测试认证规范

实验仪器

测试流程

注意事项

1.具体的试验周期以工程师告知的为准。

2.文章中的图片或者标准以及具体的试验方案仅供参考，因为每个样品和项目都有所不同，所以最终以工程师告知的为准。

3.关于（样品量）的需求，最好是先咨询我们的工程师确定，避免不必要的样品损失。

4.加急试验周期一般是五个工作日左右，部分样品有所差异

5.如果对于（半导体功率器件试验）还有什么疑问，可以咨询我们的工程师为您一一解答。