砷化镓检测

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注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。

砷化镓检测范围

III-V族化合物, 半导体, 砷化物, 非线性光学材料, 光电子器件, 杂化材料, 化学气相沉积材料, 光子集成器件, 电子薄膜, 高电子迁移率材料, 量子阱材料

砷化镓检测项目

镓含量,砷含量,外观和颜色,确认试剂,氧化还原电位,电导率,电阻率,晶体结构,晶格参数,杂质含量,表面形貌,尺寸测量,热稳定性,光学性质,表面粗糙度,材料硬度,表面能,光谱特性,热导率,比表面积,生长特性

砷化镓检测方法

1. 氢化物发生—原子荧光光谱法
该方法利用砷化镓中的砷原子进行原子荧光光谱检测，可快速、准确地检测砷的含量。

2. 电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)
ICP-MS方法结合了高灵敏度和高选择性，可用于测定砷化镓中砷的含量，适用于低浓度的分析。

3. 毛细管电泳法
毛细管电泳法可用于分离和测定砷化镓中的砷，具有较高的分辨率和准确性。

4. 离子色谱法（IC）
IC方法可应用于砷化镓样品中砷的分离和定量分析，适用于复杂矿石或合金混合物的检测。

5. X射线荧光光谱法（XRF）
XRF方法可用于快速分析砷化镓中的砷含量，非破坏性，适用于大批量样品的分析。

砷化镓检测仪器

GFAAS, ICP-MS, XRF, SEM-EDS, AAS, FTIR, XRD, RAMAN, UV-Vis, TGA, DSC, ICP-OES, XPS, HPLC, XRF, X-ray Diffraction, Mass Spectrometry, NMR Spectroscopy, Electron Microscopy, Chromatography

砷化镓检测标准

SJ 20842-2002：砷化镓表面镓砷比的测试方法

GB/T 20228-2021：砷化镓单晶

SJ 3242-1989(2017)：砷化镓外延片

SJ 3242-1989：砷化镓外延片

CNS 13625-1995：圆形砷化镓单晶片产品标准

GB/T 30856-2014：LED外延芯片用砷化镓衬底

GB/T 25075-2010：太阳能电池用砷化镓单晶

SJ/T 11496-2015(2017)：红外吸收法测量砷化镓中硼含量

GB/T 18032-2000：砷化镓单晶AB微缺陷检验方法

SJ/T 11496-2015：红外吸收法测量砷化镓中硼含量

GB/T 8760-2020：砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T 11094-2020：水平法砷化镓单晶及切割片

GB/T 8758-2006：砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法

SJ/T 11497-2015：砷化镓晶片热稳定性的试验方法

GB/T 11068-2006：砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

GB/T 11093-2007：液封直拉法砷化镓单晶及切割片

SJ 20844A-2018：半绝缘砷化镓单晶微区均匀性测试方法

GB/T 8757-2006：砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法

SJ 3244.5-1989：砷化镓和磷化铟材料补偿度的测试方法

SJ 20843-2002：砷化镓单晶AB微缺陷密度定量检验方法

SJ 3244.5-1989(2017)：砷化镓和磷化铟材料补偿度的测试方法

SJ/T 11497-2015(2017)：砷化镓晶片热稳定性的试验方法

SJ 3249.3-1989：半绝缘砷化镓中铬浓度的红外吸收测试方法

SJ 3249.3-1989(2017)：半绝缘砷化镓中铬浓度的红外吸收测试方法

GB/T 35305-2017：太阳能电池用砷化镓单晶抛光片

JJF 2064-2023：多结砷化镓太阳电池校准规范光谱响应度

SJ 21536-2018：微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片规范

SJ 20635-1997：半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法

GB/T 19199-2015：半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

SJ/T 11490-2015：低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法

实验仪器

测试流程

注意事项

1.具体的试验周期以工程师告知的为准。

2.文章中的图片或者标准以及具体的试验方案仅供参考，因为每个样品和项目都有所不同，所以最终以工程师告知的为准。

3.关于（样品量）的需求，最好是先咨询我们的工程师确定，避免不必要的样品损失。

4.加急试验周期一般是五个工作日左右，部分样品有所差异

5.如果对于（砷化镓检测）还有什么疑问，可以咨询我们的工程师为您一一解答。